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IXFA12N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 7:07:03 查看 阅读:13

IXFA12N65X2是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他高功率电子设备中。该器件由IXYS公司生产,具有高击穿电压、低导通电阻以及优异的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。该MOSFET采用TO-263封装(表面贴装),便于在高功率密度设计中使用。

参数

类型:功率MOSFET
  极性:N沟道
  漏源电压(Vds):650V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A(Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.42Ω(最大值0.52Ω)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-263(表面贴装)
  功耗(Pd):160W

特性

IXFA12N65X2具有多个关键特性,使其适用于高性能电源转换应用。首先,该MOSFET的高漏源击穿电压(650V)使其适用于高电压系统,如AC-DC电源和电机控制电路。其次,其低导通电阻(Rds(on))降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该器件采用先进的平面技术,确保了良好的开关性能和热稳定性。
  在热管理方面,IXFA12N65X2的TO-263封装设计提供了良好的散热能力,使其在高电流条件下仍能保持稳定工作。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了其在高应力环境下的可靠性。此外,由于其表面贴装封装形式,该MOSFET适合自动化生产流程,提高制造效率并减少PCB空间占用。
  在驱动方面,该MOSFET支持标准逻辑电平驱动(通常需要10V以上的栅极电压),使其能够与多种控制器和驱动IC兼容。同时,该器件具备快速开关特性,降低了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和LED照明电源。

应用

IXFA12N65X2广泛应用于多种高功率电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器、电机控制电路、UPS(不间断电源)、光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外,它也适用于LED照明驱动电源、电池管理系统(BMS)以及各种消费类和工业类电源适配器中。
  在开关电源设计中,该MOSFET可用于主开关或同步整流开关,提高整体效率并降低发热。在电机驱动应用中,IXFA12N65X2可以作为H桥结构中的关键开关元件,实现高效、可靠的电机控制。在光伏逆变器中,该器件适用于DC侧的功率转换环节,支持太阳能系统的高效能量转换。

替代型号

IXFN12N65X2, IRFGB40N65FD, FDPF4N65FS, STF12N65M5

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IXFA12N65X2参数

  • 现有数量204现货
  • 价格1 : ¥34.90000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)310 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1134 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)180W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA(IXFA)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB