时间：2025/6/23 14:14:32
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GBLC03CIHP-LF-T7 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管 (e-mode FET) 结构，具有出色的开关特性和低导通电阻，能够显著提高系统效率并减少热量产生。
这款 GaN 晶体管适合用于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电以及各类需要高效能量转换的应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率：高达 10MHz
封装形式：LF 封装
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
GBLC03CIHP-LF-T7 的主要特点包括：
1. 高击穿电压：支持高达 600V 的漏源电压，适用于宽输入电压范围的应用。
2. 极低的导通电阻：150mΩ 的 Rds(on) 确保了高效的电流传输和更低的功耗。
3. 快速开关性能：具备极低的栅极电荷和输出电容，支持高达 10MHz 的开关频率。
4. 小尺寸封装：LF 封装有助于减小整体 PCB 占用面积。
5. 高可靠性：经过严格测试，能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 环保设计：符合 RoHS 标准，使用无铅材料制造。
GBLC03CIHP-LF-T7 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如笔记本电脑适配器、服务器电源等。
2. DC-DC 转换器：用于汽车电子、工业设备中的高效能量转换。
3. 无线充电模块：支持更高功率的无线充电设备。
4. LED 驱动器：提供高效率驱动方案以优化 LED 照明系统。
5. 光伏逆变器：在可再生能源领域中实现高效的能量管理。
GBLC03CIHP-HF-T7
GBLC03CIHP-MF-T7
GBLC03CIHP-SF-T7
