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IRLML2244TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 18:26:25 查看 阅读:27

IRLML2244TRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET。这款器件采用超小型SOT-23封装,适用于空间受限的应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于负载切换、DC-DC转换器、电池保护电路以及其他便携式电子设备中。
  该MOSFET具有较低的阈值电压和出色的热性能,能够在高频条件下高效工作,同时提供稳定的电流承载能力。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:2.1A
  栅极阈值电压:1.2V to 3V
  导通电阻(Rds(on)):160mΩ(在Vgs=4.5V时)
  总功耗:330mW
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

IRLML2244TRPBF具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,确保了高效的功率传输并减少发热。
  2. 小巧的SOT-23封装设计,便于在紧凑型电路板上使用。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 较低的栅极电荷,有助于降低驱动损耗。
  5. 高度可靠的电气性能,可在极端温度范围内稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

该MOSFET广泛应用于各种电子系统,包括但不限于:
  1. 移动设备中的电源管理模块。
  2. 开关模式电源(SMPS)及DC-DC转换器。
  3. 负载开关和电机控制电路。
  4. 电池供电设备的保护和切换功能。
  5. 消费类电子产品中的信号路由与处理。
  由于其小尺寸和高效率,它特别适合便携式设备和需要节省空间的设计场景。

替代型号

IRLML2244G, IRLML2244TRPbF

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IRLML2244TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫欧 @ 4.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds570pF @ 16V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML2244TRPBFTR