MT18N4R7B500CT 是一款高性能的低功耗存储芯片,属于 DDR4 SDRAM 系列。该型号主要应用于对数据传输速率和稳定性要求较高的场景。它支持高速数据读写,并且在功耗管理方面表现出色。这款芯片采用先进的制程工艺制造,能够提供更高的容量和更快的访问速度,同时保持较低的工作电压以减少功耗。
DDR4 技术相比前几代产品显著提高了性能,特别是在时钟频率、带宽以及能效比方面有明显优势。
类型:SDRAM
标准:DDR4
容量:4Gb
组织方式:x8/x16
工作电压(VDD):1.2V
I/O 电压(VDDQ):1.2V
速度:2133Mbps 至 3200Mbps
封装形式:FBGA
引脚数:78-ball
温度范围:-40°C 至 +125°C
刷新模式:自刷新
MT18N4R7B500CT 提供了强大的数据处理能力,其主要特点包括:
1. 高速传输:支持高达 3200 Mbps 的数据传输速率,确保快速的数据交换和处理。
2. 低功耗设计:采用 1.2V 工作电压,在保证性能的同时有效降低能耗。
3. 可靠性:内置 ECC(错误检查与纠正)功能,提升数据完整性和系统可靠性。
4. 小型化封装:使用 FBGA 封装技术,体积小巧,适合高密度集成。
5. 广泛的工作温度范围:从 -40°C 到 +125°C,适用于各种严苛环境下的应用需求。
6. 多种配置选项:支持 x8 和 x16 的不同位宽选择,满足多样化设计需求。
这款芯片广泛用于计算机、服务器、网络设备以及其他需要大容量高速存储的应用领域。具体包括:
1. 笔记本电脑和台式机内存模块。
2. 数据中心和企业级服务器内存扩展。
3. 高性能计算 (HPC) 系统中的缓存或主存。
4. 工业控制设备中的实时数据存储。
5. 嵌入式系统中的外部存储单元。
MT18N4R7B500CTF, MT18N4R7B500C