时间：2025/5/7 18:20:03
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IRLIZ44GPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计，能够在较低的栅极驱动电压下实现导通，非常适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用。
IRLIZ44GPBF具备低导通电阻特性，有助于减少传导损耗，提高效率。其封装形式为TO-252 (DPAK)，具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：26A
导通电阻：9mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：18nC（典型值）
输入电容：1280pF（典型值）
最大功耗：17W
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRLIZ44GPBF是一款高性能的功率MOSFET，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗，提升整体效率。
2. 支持逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V控制信号，便于在现代低电压系统中使用。
3. 高速开关性能，适合高频应用场合。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
5. 封装形式紧凑，易于集成到各种电路设计中。
这些特性使得IRLIZ44GPBF成为众多功率应用的理想选择，特别适用于需要高效能量转换和高电流处理能力的场景。
IRLIZ44GPBF广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 汽车电子中的各类功率控制模块。
由于其低导通电阻和逻辑电平驱动的特点，这款MOSFET在消费电子、工业设备以及汽车电子等领域都得到了广泛应用。
IRLZ44N, IRLZ44PBF, FDN340P
