时间：2025/8/30 12:46:20
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MU14-6FB/SK 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：140A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
封装类型：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
MU14-6FB/SK 采用STMicroelectronics的最新沟槽栅极技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，使其在高电流应用中表现出色。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。
其封装形式为TO-263（D2Pak），支持表面贴装安装，便于散热并提高机械稳定性。该器件还具备良好的抗短路能力，适用于要求严苛的工业和汽车应用。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）确保其在高温环境下依然稳定运行。
MU14-6FB/SK 主要用于高性能电源系统，如同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化控制系统。由于其低导通电阻和优异的热管理能力，该MOSFET特别适用于需要高效率和紧凑设计的电源模块。此外，它也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、起停系统和电动助力转向系统。
STP150N6F6AG, IRF1405, IPW60R045C6
