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A1515XT-1W 发布时间 时间:2025/8/3 2:14:59 查看 阅读:34

A1515XT-1W 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等高功率密度场合。该器件采用 TO-263 封装(也称为 D2PAK),具备良好的热性能和高电流承载能力。A1515XT-1W 的设计目标是提供低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,以提高系统效率并减少功率损耗。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):160A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  功耗(Pd):250W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-263(D2PAK)

特性

A1515XT-1W 功率 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 3.5mΩ。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术,使其在高电压和大电流条件下仍能保持稳定运行。
  另一个重要特性是其高电流承载能力。A1515XT-1W 的最大连续漏极电流为 160A,适用于需要高功率输出的应用,如工业电机驱动和电源转换器。此外,该器件的封装形式为 TO-263(D2PAK),具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度并提高器件的可靠性。
  A1515XT-1W 还具备高耐压能力,最大漏源电压为 150V,使其适用于中高压电源系统。同时,其栅源电压耐受能力达到 ±20V,提供了更大的设计灵活性。此外,该器件的功耗为 250W,在高功率应用中能够稳定运行而不会出现过热问题。
  该 MOSFET 在制造过程中采用了优化的工艺流程,使其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适合在极端环境条件下使用,如汽车电子系统和工业自动化设备。

应用

A1515XT-1W 广泛应用于多种高功率电子系统中。最常见的应用之一是开关电源(SMPS),其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源转换器中的主开关器件。此外,该器件也广泛用于 DC-DC 转换器,特别是在需要高效能和高功率密度的系统中,例如服务器电源和通信设备电源模块。
  在电机控制领域,A1515XT-1W 可用于 H 桥电路中的功率开关,以实现对直流电机或步进电机的高效控制。由于其高电流承载能力和快速开关特性,该器件在电动车、电动工具和机器人系统中也得到了广泛应用。
  此外,该 MOSFET 也适用于负载开关和电池管理系统(BMS),在需要频繁开关高电流负载的应用中表现出色。例如,在工业自动化设备中,A1515XT-1W 可用于控制电磁阀、继电器和加热元件等高功率负载。

替代型号

IXFN160N15T, IRFP4468PBF, SiHF160N15D

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