SS0130UFN2B-R1 时间：2025/8/15 0:25:04 阅读：5

SS0130UFN2B-R1是一款由台湾半导体公司生产的小信号场效应晶体管（MOSFET），采用P沟道增强型结构，适用于低电压和中等功率应用。该器件采用SOT-23封装形式，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备及便携式电子产品中。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：-300mA
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.8Ω @ Vgs = -4.5V，最大1.2Ω @ Vgs = -2.5V
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

SS0130UFN2B-R1的P沟道MOSFET结构使其在低电压条件下仍能高效工作，其导通电阻低至0.8Ω，从而减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，可支持高频操作，适用于对响应速度有较高要求的电路设计。SOT-23封装形式使其体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
　　该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。同时，其最大连续漏极电流为-300mA，满足大多数便携式电子设备的功率需求。此外，其最大栅源电压为±12V，确保了器件在不同驱动条件下的稳定运行。

应用

SS0130UFN2B-R1广泛应用于各类低电压电子设备中，如手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品中的电源开关和负载管理电路。此外，它还适用于DC-DC转换器、LED驱动电路、电池充电管理模块以及各类小型电源适配器。由于其具备良好的开关性能和较高的可靠性，也常用于工业控制设备、传感器电路和低功耗物联网设备中。