IRLI3215PBF是由英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件主要设计用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场合,例如电机驱动、电源管理、负载开关以及DC-DC转换器等场景。
IRLI3215PBF采用的是TO-252 (DPAK) 封装形式,这使得其具备较高的热性能和电气性能,非常适合空间有限的设计环境。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:28A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:115W
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装类型:TO-252 (DPAK)
存储温度范围:-65℃至+150℃
IRLI3215PBF具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗,提高系统效率。
该器件具备较高的电流承载能力,使其能够胜任大功率应用。
其逻辑电平兼容性允许使用较低的栅极驱动电压(如3.3V或5V),从而简化了与微控制器或其他数字电路的接口设计。
MOSFET的快速开关性能可以降低开关损耗,适合高频开关应用。
此外,该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,增强了系统的可靠性。
IRLI3215PBF广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 电机控制和驱动,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动。
2. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率调节和信号切换。
5. 汽车电子系统中的继电器替代和功率分配。
6. 家用电器中的功率控制模块。
IRLZ34NPBF, IRLI3216PBF