时间：2025/12/26 18:57:53
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IRKD91/16是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchSTOP?技术制造，专为高效率开关应用设计。该器件适用于多种工业和消费类电子设备中的电源转换系统，如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及电机驱动等场合。IRKD91/16具有优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高频工作条件下实现较低的导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统能效。其封装形式为PG-TO252-3（也称DPAK），是一种表面贴装型封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合自动化生产流程。该MOSFET的工作温度范围宽，可在-55°C至150°C的结温范围内稳定运行，适应严苛的环境条件。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全认证，确保在各种应用场景下的可靠性和安全性。由于其出色的电气特性和坚固的封装设计，IRKD91/16广泛应用于通信电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）及照明镇流器等领域。
型号：IRKD91/16
制造商：Infineon Technologies
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压Vds：650 V
连续漏极电流Id at 25°C：9.1 A
脉冲漏极电流Idm：36 A
导通电阻Rds(on) max @ Vgs=10V：1.1 Ω
导通电阻Rds(on) max @ Vgs=4.5V：1.4 Ω
栅极阈值电压Vgs(th)：2.1 V ~ 3.5 V
栅极电荷Qg typ：27 nC
输入电容Ciss typ：540 pF
输出电容Coss typ：105 pF
反向恢复时间trr max：38 ns
最大功耗Ptot：75 W
工作结温范围Tj：-55 °C 至 +150 °C
封装/外壳：PG-TO252-3 (DPAK)
