类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：70A
　　最大漏极-源极电压：100V
　　导通电阻：Rds(on) 最大值为2.8mΩ（典型值为2.2mΩ）
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247
　　最大功率耗散：250W

SA70AHR0G具有多个显著的技术特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得该器件非常适合用于高电流应用场景，如电源管理和电机控制。其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏极-源极电压可达100V，适合高压电路设计。
　　SA70AHR0G采用了先进的封装技术，TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和可靠性。该封装形式在工业应用中非常常见，便于安装和散热管理。此外，该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，能够在极端环境下稳定运行，适用于汽车电子和工业控制等严苛环境。
　　该MOSFET的栅极-源极电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可以与多种驱动电路配合使用。同时，其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。这些特性使得SA70AHR0G在电源转换、电机驱动和电池管理系统中表现出色。

SA70AHR0G广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、电机驱动器、电池管理系统和汽车电子设备。在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器和AC-DC电源供应器，提供高效的功率转换能力。在电机驱动器中，SA70AHR0G能够承受高电流负载，确保电机的稳定运行。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制，提高系统的安全性和效率。此外，SA70AHR0G还适用于新能源汽车的电驱系统和充电设备，满足高可靠性和高性能的要求。

FDP70N10, FQP70N10, IRF1407