型号：IRG7PSH50UD
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：SuperFET? III
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±25 V
　　连续漏极电流（Id）：7.1 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　功耗（Pd）：150 W
　　导通电阻Rds(on)：max 500 mΩ（@ Vgs = 10 V, Id = 3.55 A）
　　阈值电压（Vth）：4.0 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1300 pF（@ Vds = 250 V）
　　输出电容（Coss）：360 pF
　　反向恢复时间（trr）：98 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247-3

IRG7PSH50UD所采用的SuperFET? III技术是Infineon在功率MOSFET领域的一项重要创新，它结合了先进的沟槽栅结构与场截止层设计，显著提升了器件的性能表现。该技术通过精确控制电场分布，有效降低了导通电阻Rds(on)，同时维持了高击穿电压能力，从而实现了优异的品质因数（FOM），即Rds(on) × Qg的乘积更小，意味着在相同电压等级下，器件既能降低导通损耗又能减少驱动能量需求。这种优化对于高频开关电源尤为重要，因为它允许设计者在不牺牲效率的前提下提升开关频率，进而减小磁性元件和电容的体积，实现系统小型化。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性和可靠性。得益于TO-247-3封装的大面积铜底板设计，IRG7PSH50UD具备优良的散热能力，能够将芯片产生的热量迅速传导至散热器，确保长时间高负载运行时结温处于安全范围内。此外，该器件经过严格的雪崩测试认证，具备单脉冲雪崩能量（EAS）耐受能力，可在意外过压或电感负载突变情况下保护自身及整个电路系统，提高了应用的安全裕度。
　　在动态性能方面，IRG7PSH50UD表现出较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这不仅降低了驱动电路的功耗，还使得器件更容易被高速驱动，加快开关速度，进一步减少开关损耗。其体二极管经过特殊优化，具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），且恢复过程较为“柔软”，避免了传统快速恢复二极管常见的电压尖峰和振荡问题，这对降低EMI噪声和防止交叉导通非常有利。这些特性使其非常适合用于硬开关和部分软开关拓扑，如LLC谐振变换器、有源钳位反激、双有源桥（DAB）等先进功率架构。

IRG7PSH50UD广泛应用于多种中高功率电力电子系统中，尤其适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的场合。在太阳能光伏逆变器中，该器件常用于DC-AC逆变级或DC-DC升压级，利用其低导通损耗和良好开关特性提升整机能效，满足Tier 1逆变器的严格标准。在工业电源领域，特别是服务器电源、通信电源和UPS不间断电源中，IRG7PSH50UD可用于PFC（功率因数校正）电路或主功率变换级，帮助实现高功率因数和低THD（总谐波失真）。
　　此外，在电动汽车充电设备（EV charger）中的车载充电机（OBC）或直流充电桩的辅助电源模块中，该器件也展现出良好的适应性，能够在宽输入电压范围内稳定工作，并承受频繁的启停和温度循环。电机驱动应用，如工业伺服驱动器或变频家电控制板，也能从其快速响应能力和高温工作稳定性中受益。在消费类高端电源适配器和LED恒流驱动电源中，若采用准谐振或临界模式PFC设计，IRG7PSH50UD同样可作为主开关管使用，提供可靠的性能保障。总之，凡是需要在500V电压等级下实现高效、高频、高可靠开关操作的应用场景，IRG7PSH50UD都是一个极具竞争力的选择。

IPB045N50CFD