BAJ0CC0FP 时间：2025/11/8 4:13:25 阅读：14

BAJ0CC0FP是罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装设计，适用于高效率、低功耗的电源管理应用。该器件专为开关模式电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用场景优化，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提升系统整体能效。其封装形式为CST3，属于小型表面贴装型封装，适合在空间受限的便携式电子设备中使用，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品。BAJ0CC0FP通过优化芯片结构，在保证高可靠性的同时实现了优异的热稳定性和电气性能。该MOSFET工作电压适中，支持逻辑电平驱动，能够与常见的控制IC直接接口而无需额外的驱动电路，从而简化了电源系统的设计复杂度并降低了整体成本。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其不仅适用于工业和消费领域，也可用于对可靠性要求较高的汽车电子环境。

参数

型号：BAJ0CC0FP
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：4.4A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：17.6A
　　导通电阻(RDS(ON))：25mΩ @ VGS=10V, 4.4A
　　导通电阻(RDS(ON))：30mΩ @ VGS=4.5V, 4.4A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：500pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　二极管正向电压(VSD)：1.0V
　　栅极电荷(Qg)：8nC @ VDS=15V, ID=4.4A
　　功耗(PD)：1W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：CST3

特性

BAJ0CC0FP具备出色的导通性能和开关速度，其核心优势在于低导通电阻RDS(ON)，在VGS=10V条件下仅为25mΩ，在VGS=4.5V时也仅为30mΩ，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为它能够延长续航时间并减少发热问题。该器件采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流承载能力，同时有效抑制了短沟道效应，确保在高温或高负载条件下仍保持稳定的电气特性。
　　其栅极结构经过特殊设计，支持逻辑电平驱动，可在4.5V至10V的栅源电压范围内实现充分导通，因此可以直接由3.3V或5V微控制器、PWM控制器或其他数字信号源驱动，无需额外的电平转换或专用驱动IC，简化了外围电路设计并节省PCB空间。此外，输入电容较低（典型值500pF），使得器件在高频开关应用中具有更快的响应速度和更低的驱动损耗。
　　热性能方面，BAJ0CC0FP的封装采用高导热材料和优化的内部连接结构，能够在1W的最大功耗下有效散热，结温范围覆盖-55℃到+150℃，表现出良好的温度适应性。该器件还内置了体二极管，具有1.0V的正向压降，适用于需要反向电流续流的应用场景，如H桥电机驱动或同步整流拓扑。所有参数均经过严格测试，并在宽温度范围内保持一致性，确保系统长期运行的稳定性与可靠性。

应用

BAJ0CC0FP广泛应用于各类中小功率电源管理系统中，尤其适合需要高集成度和高效率的便携式电子设备。典型应用场景包括移动设备中的负载开关，用于控制显示屏、摄像头模组或无线模块的供电通断，利用其低RDS(ON)和快速响应能力实现高效节能。在DC-DC降压转换器中，它常作为同步整流开关使用，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提高整体能效，特别是在多相VRM架构中表现优异。此外，该器件也适用于USB电源管理电路，如过流保护开关、充电路径控制以及Type-C PD协议中的电源切换功能。
　　在工业控制领域，BAJ0CC0FP可用于继电器驱动、LED恒流驱动电路或小功率电机控制模块，凭借其高可靠性和抗干扰能力，在恶劣电磁环境中依然稳定工作。由于通过了AEC-Q101车规认证，该器件还可用于车载信息娱乐系统、车内照明控制、传感器供电管理等汽车电子子系统，满足汽车行业对长寿命和极端环境耐受性的严苛要求。另外，因其小型化CST3封装，非常适合高度集成的主板设计，有助于缩小产品体积，提升单位面积内的功能密度。无论是消费类、工业类还是汽车类应用，BAJ0CC0FP都能提供稳定、高效的开关解决方案。