时间：2025/12/29 14:49:12
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IRFW654B 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于中高功率的开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：100V
漏极电流 Id（连续）：100A
导通电阻 Rds(on)：最大 3.7mΩ @ Vgs=10V
栅极电压 Vgs：±20V
功耗 PD：250W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（表面贴装，D2Pak）
IRFW654B 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，使其具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。此外，IRFW654B 具有较高的热稳定性和耐压能力，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。
其 TO-263 封装形式不仅支持高功率密度设计，还便于散热管理，适合用于表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。内置的快速恢复体二极管也增强了其在感性负载开关应用中的性能。
另外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），允许使用标准的逻辑电平驱动器进行控制，兼容多种控制电路，如微控制器或 PWM 控制器。
IRFW654B 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
? 直流电动机驱动和控制电路
? 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块
? 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关
? 工业自动化设备中的高功率负载切换电路
? 电动车充电器和车载电子系统的功率控制单元
由于其优异的导通特性和高频响应能力，该器件在要求高效能、高可靠性的现代电源系统中具有广泛的应用前景。
IRF1405, IRF3710, IRF3205, IPW65R035C6
