型号：2SB1274-S
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.1A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ（@Vgs = -10V, Id = -2A）
　　导通电阻Rds(on)：60mΩ（@Vgs = -4.5V, Id = -2A）
　　阈值电压Vgs(th)：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：930pF（@Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：380pF（@Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@Vds=15V, Id=4A）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　上升时间（tr）：35ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：30ns
　　下降时间（tf）：25ns

2SB1274-S具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs = -10V条件下可低至45mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效，特别适用于电池供电设备中对能耗敏感的应用场景。此外，即使在较低的栅极驱动电压（如-4.5V）下，其Rds(on)仍能保持在60mΩ以内，表明该器件对驱动电路的要求较为宽松，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，简化了系统设计复杂度。
　　该器件还具有较低的栅极电荷（Qg = 13nC）和输入电容（Ciss = 930pF），这使得在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于减少控制器的负担并提升开关速度。快速的开启和关闭时间（td(on)=10ns, td(off)=30ns）进一步增强了其在高频DC-DC转换器和PWM控制中的适用性。同时，较低的反向传输电容（Crss）有助于抑制米勒效应，降低意外导通的风险，提高电路稳定性。
　　2SB1274-S采用SOP封装，具有良好的散热性能和机械强度，能够在-55℃至+150℃的结温范围内稳定工作，确保在极端环境条件下依然可靠运行。其额定漏源电压为-30V，最大连续漏极电流达-4.1A，适用于中等功率级别的电源开关任务。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，可在感性负载切换时提供有效的续流路径，避免电压尖峰损坏器件。
　　此外，该器件通过了严格的可靠性测试，具备良好的抗静电能力和长期稳定性，符合工业级质量标准。其无铅环保设计也符合当前主流电子产品对绿色制造的要求，支持回流焊和波峰焊等多种组装工艺，便于大规模生产应用。

2SB1274-S广泛应用于各类需要高效电源管理的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池电源管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统休眠功能。在这些应用中，其低导通电阻和低静态功耗特性有助于延长电池续航时间。
　　该器件也常用于同步整流型DC-DC降压或升压转换器中，作为高端或低端开关元件，配合N沟道MOSFET实现高效的电压转换。其快速的开关响应能力和低开关损耗使其在高频开关电源设计中表现出色，适用于通信设备、工业控制系统和嵌入式电源模块。
　　此外，2SB1274-S还可用于电机驱动电路中的H桥结构，作为P沟道侧的驱动开关，控制直流电机或步进电机的正反转。其较高的电流承载能力和良好的热稳定性保证了在持续负载下的安全运行。
　　其他应用还包括LED驱动电源、USB电源开关、热插拔控制器、逆变器和小型逆变电源系统等。由于其具备较强的抗干扰能力和宽温工作范围，也可用于汽车电子外围控制单元、智能家居控制板和工业传感器供电管理等领域。

TPC8103,HVN2701M,SZ2SB1274-S