IRFS650是一款由国际整流器公司(International Rectifier,现为Infineon Technologies的一部分)生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。IRFS650广泛用于电源转换、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。其封装形式为TO-220AB,便于安装在散热器上以提高散热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):9.0A(在Tc=25℃时)
脉冲漏极电流(Idm):36A
导通电阻(Rds(on)):0.44Ω(最大值,Vgs=10V)
功耗(Pd):94W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装:TO-220AB
IRFS650的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热性能,使其在高频开关应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))可减少导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。这在需要高能效的电源管理应用中尤为重要。
其次,该器件能够承受高达200V的漏源电压,并在Vgs=10V时提供高达9A的连续漏极电流,适合用于中高功率的应用场景。此外,其脉冲漏极电流可达36A,使其具备良好的瞬态响应能力。
再者,IRFS650的封装设计有助于有效散热,从而提高器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。TO-220AB封装通常带有金属片,可直接安装在散热器上,增强热传导性能。
此外,该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力,增强了在电压尖峰或过压情况下的鲁棒性,提高了系统的安全性和可靠性。
最后,IRFS650具有快速开关特性,适用于高频开关电路,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统的响应速度。
IRFS650由于其高电压和中等电流能力,广泛应用于多个领域。
首先,它常用于开关电源(SMPS)中,作为主开关或同步整流器,提高电源转换效率。
其次,在DC-DC转换器中,IRFS650可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,实现高效能的能量转换。
此外,该器件也适用于电机控制应用,例如在H桥电路中作为驱动功率开关,控制直流电机的转向和速度。
在照明系统中,IRFS650可用于LED驱动电路或高频荧光灯镇流器,实现高效的光源管理。
它还可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制,确保电池组的安全运行。
另外,IRFS650也可用于逆变器、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等新能源相关应用。
IRF840, IRF640, IRF540N