F40097BDM 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET晶体管。该器件采用高性能的MOSFET技术,具备低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性,适用于多种高功率应用场景。该MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中,以提供高效、可靠的开关功能。其封装形式为TO-220,便于散热和安装,并具有良好的耐用性和稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):19A(25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.35Ω
栅极电荷(Qg):65nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
F40097BDM具有低导通电阻的特点,有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的电流处理能力,使其能够在高负载条件下稳定工作。其高耐压能力(600V)使其适用于高电压环境下的功率转换和控制应用。该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。同时,该器件的栅极电荷较低,支持快速开关操作,有助于提升系统的响应速度和效率。此外,F40097BDM采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合多种工业级应用。
在可靠性方面,F40097BDM通过了多项国际质量认证,确保其在各种工作条件下都能提供稳定的性能。该MOSFET还具备较强的抗静电能力(ESD),可在安装和使用过程中减少因静电放电导致的损坏风险。此外,其设计支持并联使用,以提高系统的整体功率处理能力。这些特性使F40097BDM成为工业电源、电机驱动、照明系统和消费类电子设备中理想的功率开关元件。
F40097BDM广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制模块、照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其具备高耐压和高电流能力,该MOSFET也常用于家用电器、电动车充电设备以及智能电网相关设备中。此外,F40097BDM还可用于电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)和太阳能逆变系统,以实现高效、稳定的能量转换和管理。
STP19NM60ND, FDPF40097BDM, F40097BDT, F40097BSP