时间：2025/11/6 4:20:31
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MT15N1R0C500CT是一款由Micro Commercial Components（MCC）生产的N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及负载控制等电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点，适合在紧凑型设计中实现高效能功率转换。其封装形式为TOLL（TO-263-8L），具有优良的散热性能，适用于需要高电流处理能力的应用场景。MT15N1R0C500CT的命名遵循MCC的标准命名规则，其中‘15’代表最大漏源电压为150V，‘N’表示N沟道类型，‘1R0’意味着典型导通电阻约为1.0毫欧，而‘C500’则可能指代特定的产品系列或额定电流等级。这款MOSFET在工业控制、电机驱动、DC-DC转换器及消费类电子产品中均有广泛应用。
型号：MT15N1R0C500CT
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大连续漏极电流（Id）：50A
脉冲漏极电流（Idm）：200A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.0mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：典型值90nC
输入电容（Ciss）：典型值4500pF
输出电容（Coss）：典型值1200pF
反向恢复时间（trr）：典型值35ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TOLL (TO-263-8L)
安装方式：表面贴装
MT15N1R0C500CT采用高性能沟槽栅极MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)）特性，在Vgs=10V条件下，其典型值仅为1.0mΩ，这显著降低了导通损耗，提升了整体系统的能效表现。该低Rds(on)特性使其能够在大电流应用中保持较低的温升，从而提高系统的可靠性与寿命。此外，器件经过优化设计，具有出色的动态性能，包括快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
该MOSFET还具备高电流承载能力，最大连续漏极电流可达50A，并支持高达200A的脉冲电流，能够应对瞬态负载变化和启动冲击电流。其高电流能力结合TOLL封装优异的散热性能，使器件可在高功率密度环境下稳定运行。TOLL封装不仅提供了更大的焊盘面积以增强热传导，还通过多引脚设计降低寄生电感，提升开关瞬态响应。
在可靠性方面，MT15N1R0C500CT拥有宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），可在极端温度条件下正常工作，适用于工业级和汽车级应用场景。器件还具备良好的雪崩耐受能力，能够在过压或感性负载关断时提供一定的保护机制。其栅源电压额定值为±20V，增强了对驱动电路异常情况的容忍度，避免因栅极过压导致的永久性损坏。综合来看，该器件在效率、功率密度和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效率电源系统中的理想选择。
MT15N1R0C500CT因其高电流、低导通电阻和优良热性能，被广泛应用于各类电力电子系统中。常见用途包括工业电源中的同步整流、大电流DC-DC降压变换器、电机驱动电路中的功率开关、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及太阳能逆变器中的直流侧开关元件。此外，它也适用于服务器电源、通信电源模块和电动汽车车载充电机等高可靠性要求的场合。由于其封装支持自动化贴片生产，因此在大批量制造中具有良好的可制造性和一致性。
SLD15N1R0C500CT
