类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大连续漏极电流（Id）：5A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.8Ω
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KF5N60D MOSFET具备多项优良的电气和物理特性。其高耐压能力（600V Vds）使其适用于多种高压开关应用，例如电源适配器、LED驱动器和电机控制电路。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，KF5N60D具有良好的热稳定性和耐高温能力，可在高温环境下稳定运行。
　　在开关特性方面，KF5N60D拥有快速的开关响应时间，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽（通常为10V至20V），可兼容多种驱动电路设计。KF5N60D还具备较强的抗雪崩能力和过载电流承受能力，提升了器件的可靠性和使用寿命。
　　从封装角度来看，TO-252（DPAK）封装具有良好的散热性能和机械强度，适合表面贴装（SMT）工艺，有助于提高PCB布局的灵活性和生产效率。同时，这种封装形式也便于安装散热片，进一步提升散热效果。

KF5N60D广泛应用于各种电力电子设备中，尤其适用于需要高耐压、高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器、LED照明驱动电路、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源中，KF5N60D可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换；在LED驱动器中，它可用于调节电流输出，实现恒流控制；在电机控制应用中，KF5N60D可用于H桥结构中的上桥臂或下桥臂开关，实现电机方向控制和调速功能。
　　此外，由于其良好的抗干扰能力和稳定性，KF5N60D也常用于高可靠性工业设备和家电控制电路中。

IRF840、FQP5N60C、TK11A60D、STP5NK60Z、2SK2545