供电电压：10V ~ 20V
　　输出电流（峰值）：±1.6A（典型值）
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　延迟时间（典型值）：120ns（上升沿），100ns（下降沿）
　　死区时间：可编程控制
　　封装类型：16引脚 DIP/SOIC

IX2113CE 的主要特性包括其高边与低边驱动能力，能够同时控制两个功率开关器件，适用于各种功率转换拓扑结构，如半桥和全桥电路。该芯片内部集成自举电路，简化了高压侧电源的设计，降低了外部元件的需求。此外，IX2113CE 具有较高的抗干扰能力，能够在高噪声环境中稳定工作。
　　该驱动器的输入端兼容CMOS和TTL电平，便于与各种控制器或微处理器接口。IX2113CE 还具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压不足时自动关闭输出，防止功率器件在非理想条件下工作，从而提高系统的可靠性和安全性。
　　芯片内部还设有交叉传导保护机制，确保上下桥臂不会同时导通，避免直通电流造成的损坏。此外，IX2113CE 的输出驱动能力强，能够快速驱动大容量的功率MOSFET或IGBT，从而降低开关损耗，提高系统效率。其封装形式支持标准的PCB布局，便于大规模生产与维护。

IX2113CE 广泛应用于需要高效功率转换的电子设备中，如交流/直流和直流/直流电源转换器、电机控制驱动器、无间断电源（UPS）、逆变器、电焊机、感应加热系统等。在工业自动化控制系统中，IX2113CE 可用于驱动MOSFET或IGBT模块，实现对电机、加热元件或其他功率负载的精确控制。
　　由于其高耐压能力和良好的抗干扰性能，IX2113CE 也适用于电动汽车（EV）中的电能管理系统、充电器、DC-AC逆变器等应用。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该芯片可用于控制功率开关器件，提高能源转换效率。其广泛的应用场景使其成为中高功率系统中不可或缺的关键元件。

IR2113、IX2110、IX2111、LM5101