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IRFR4104TRLPBF 发布时间 时间:2025/6/28 20:07:11 查看 阅读:9

IRFR4104TRLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于P沟道增强型功率MOSFET,适用于各种低电压、高效率的开关应用。其封装形式为TO-263-3 (DPAK),具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,广泛用于电源管理、电机控制和负载开关等场景。
  该型号设计旨在降低功耗并提升系统性能,同时保持较高的可靠性和耐用性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:-8.7A
  导通电阻(典型值):5.9mΩ
  栅极-源极电压(最大值):±20V
  总功耗:125W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRFR4104TRLPBF 提供了出色的电气性能和可靠性,以下是其主要特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为5.9毫欧,可有效降低导通损耗。
  2. 高电流处理能力,能够支持高达8.7安培的连续漏极电流。
  3. 封装结构紧凑且坚固,采用标准TO-263封装形式,适合表面贴装技术(SMT)工艺。
  4. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高整体效率。
  6. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
  这些特性使IRFR4104TRLPBF成为许多高效能电力电子应用的理想选择。

应用

IRFR4104TRLPBF 的广泛应用领域包括但不限于以下:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或开关元件。
  2. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护电路。
  3. 电机驱动和控制电路,例如小型直流电机或步进电机。
  4. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换或保护功能。
  由于其优异的性能和可靠性,IRFR4104TRLPBF在消费类电子产品、工业设备及汽车电子领域均有出色表现。

替代型号

IRFR4104GTRPBF, IRFR4104STRPBF

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IRFR4104TRLPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 42A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs89nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2950pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)