时间：2025/6/22 14:18:12
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HH18N470G101CT 是一款基于硅技术设计的高压 N 沯道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件适用于高电压应用领域，具备优秀的开关特性和低导通电阻。它采用了先进的制造工艺以优化其性能，适合用于电源管理、电机驱动和各种工业电子系统。
该型号属于高性能功率 MOSFET 类别，能够承受高达 470V 的漏源极击穿电压，同时提供较低的导通电阻以减少功耗并提升效率。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：550mΩ
栅极电荷：60nC
输入电容：1350pF
开关时间：ton=79ns, toff=45ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
HH18N470G101CT 具有出色的雪崩能力和热稳定性，能够在极端条件下可靠运行。其主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，支持高达 470V 的漏源电压，确保在高电压环境中的稳定操作。
2. 低导通电阻设计，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关特性，适用于高频开关应用，如开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 强大的雪崩能量吸收能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 宽温度范围适应性，使其可以在恶劣的工作环境中长期使用。
6. 封装采用标准 TO-220，便于安装与散热管理。
HH18N470G101CT 广泛应用于多种电力电子设备中，特别是在需要高电压和高效能的场合。常见的应用领域包括：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和电源管理。
3. 工业控制，例如电机驱动器和自动化设备。
4. 照明系统，特别是 LED 驱动电路。
5. 逆变器和 UPS（不间断电源）系统。
6. 各种消费类电子产品中的功率级电路。
由于其高电压等级和优良的动态特性，HH18N470G101CT 成为许多高要求应用的理想选择。
IRFP460, STP40NF40, FDP18N45
