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IXGH25N100A 发布时间 时间:2025/8/6 11:31:53 查看 阅读:18

IXGH25N100A是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),由IXYS公司生产,适用于高功率应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,能够在高电压和高电流条件下高效工作。IXGH25N100A具有1000V的集电极-发射极击穿电压和25A的额定集电极电流,适合用于工业电机驱动、逆变器、焊接设备、感应加热和可再生能源系统等高功率场合。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极电压(VCES):1000V
  额定集电极电流(IC):25A
  栅极-发射极电压(VGE):±20V
  导通压降(VCEsat):约2.5V(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXGH25N100A采用了先进的沟道技术,提供了低导通压降和快速开关性能,从而降低了导通损耗和开关损耗。该器件的短路耐受能力强,能够在过载和短路条件下保持稳定运行。此外,IXGH25N100A具备良好的热稳定性,能够在高温环境下工作,提高了系统的可靠性和寿命。其封装设计有助于快速散热,确保在高功率应用中的稳定性。
  该IGBT的栅极驱动要求较低,通常只需要±15V的驱动电压,简化了驱动电路的设计。同时,其内置的反并联二极管可以有效地处理感性负载产生的反向电流,提高了系统在复杂负载条件下的稳定性。IXGH25N100A的结构设计优化了电磁干扰(EMI)性能,减少了开关过程中产生的高频噪声,使得其在电磁兼容性(EMC)要求较高的应用中表现出色。

应用

IXGH25N100A广泛应用于各种高功率电子系统中,如工业变频器、电机控制、电焊机、感应加热设备、不间断电源(UPS)以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)。由于其高耐压能力和较大的额定电流,IXGH25N100A特别适合用于需要高效、高可靠性的电力电子变换装置中。例如,在逆变器中,该IGBT可用于将直流电转换为交流电,以驱动电机或向电网回馈能量;在焊接设备中,IXGH25N100A可用于实现高频逆变焊接,提高焊接效率和质量。

替代型号

FGA25N120ANTD, IRG4PC50UD, STGW25NC120HFD

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IXGH25N100A参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1000V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)4V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装散装
  • 其它名称Q1112006