型号：CM200YE4-12H
　　制造商：富士电机（Fuji Electric）
　　器件类型：IGBT模块
　　结构形式：两单元（Half-Bridge）
　　额定电压（VCES）：1200V
　　额定电流（IC @ 80°C）：200A
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat) @ IC=200A, VGE=15V）：约1.75V
　　栅极-发射极电压范围（VGE）：-20V ~ +20V
　　最大结温（Tj）：150°C
　　反向恢复二极管正向电压（VF）：约1.65V @ IF=200A
　　开关时间（ton/toff）：典型值分别为300ns/500ns
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.15°C/W
　　封装类型：第四代Y系列模块封装
　　是否集成NTC：是

CM200YE4-12H采用了富士电机第四代IGBT芯片技术，这一代芯片在载流子注入效率和电场分布优化方面取得了显著进步，从而实现了更低的导通损耗和开关损耗。其VCE(sat)在满载条件下仅为1.75V左右，有效降低了导通期间的能量损耗，提升了整体系统效率。同时，该模块的开关速度经过精心调校，在保证快速响应的同时抑制了过高的dV/dt带来的电磁干扰问题，增强了系统的EMI兼容性。
　　该模块采用高可靠性的陶瓷基板和键合线工艺，确保在频繁热循环下仍能保持稳定的电气连接。其内部集成的快速恢复二极管具有软恢复特性，能够减少反向恢复电流尖峰，降低换流过程中的电压应力，保护IGBT免受损坏。此外，模块外壳采用高强度绝缘材料，具备高达2500V AC以上的隔离耐压能力，满足工业级安全标准。
　　CM200YE4-12H支持强制风冷或水冷散热方式，其底部平面平整度高，有利于与散热器之间形成良好的热接触，提高热传导效率。模块配备有NTC热敏电阻，通常阻值为10kΩ（25°C），用于反馈模块工作温度，实现过温保护和智能温控策略。这种设计特别适用于需要长时间连续运行的工业设备，有助于延长系统寿命并防止热失效。
　　该IGBT模块还具备良好的抗短路能力，可在规定的脉冲时间内承受数倍于额定电流的瞬时过流，配合外部驱动保护电路可实现可靠的故障保护机制。其引出端子设计符合IEC标准，方便与母排或铜条连接，减少寄生电感的影响。总体而言，CM200YE4-12H以其高性能、高可靠性和成熟的制造工艺，成为中高端功率变换应用中的优选器件之一。

CM200YE4-12H广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于矢量控制变频器和高性能伺服驱动器中，作为主逆变桥的核心开关元件，实现对交流电机的精确调速与转矩控制。由于其具备较高的电流密度和良好的动态响应能力，非常适合在负载波动剧烈的工况下稳定运行。
　　在能源转换系统中，该模块可用于光伏逆变器和储能系统的DC-AC逆变环节，将太阳能电池板或电池组输出的直流电高效转换为符合电网要求的交流电。其低损耗特性有助于提升整机转换效率，满足日益严格的能效标准。此外，在风力发电的变流器中也可看到其应用身影，特别是在双馈感应发电机（DFIG）的转子侧变流器中发挥关键作用。
　　在电焊机设备中，CM200YE4-12H用于构建全桥或半桥式ZCS/ZVS软开关拓扑，提供高频大电流输出，确保焊接过程稳定且飞溅少。其高耐压和强抗冲击能力使其适应复杂的工作环境。
　　其他应用场景还包括不间断电源（UPS）、感应加热设备、电动汽车充电桩以及轨道交通中的辅助电源系统等。这些应用共同特点是要求元器件具备高可靠性、长寿命和强环境适应能力，而CM200YE4-12H正好满足这些需求。通过合理设计驱动电路和散热方案，该模块能够在多种拓扑结构中发挥出色性能，助力终端设备实现高效节能与智能化控制。

2MBI200U4B-121
　　FF200R12KS4
　　SKM200GB12T4