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AONR20485 发布时间 时间:2025/5/23 5:04:31 查看 阅读:2

AONR20485是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用超薄封装设计,适用于需要低导通电阻和高开关效率的应用场景。AONR20485具有出色的电气性能,能够在高频开关应用中提供高效的功率转换。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度以及卓越的热性能。
  AONR20485采用DFN3333-8L封装形式,适合于空间受限的设计环境,并支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和提高组装效率。这种小型化封装结合高性能参数使其成为消费电子、通信设备及工业控制领域的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:DFN3333-8L

特性

AONR20485的核心优势在于其超低的导通电阻,这使得在大电流应用中能够显著降低功耗并提高系统效率。此外,其快速的开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗,从而提升整体性能。
  该器件还具备优秀的热稳定性,可在高温环境下保持可靠运行。其DFN3333-8L封装不仅节省了PCB空间,而且通过外露金属焊盘增强了散热能力。这些特点使AONR20485非常适合用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器以及其他要求高效率和紧凑设计的电路。

应用

AONR20485广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 消费电子产品:如智能手机充电器、笔记本适配器等。
  2. 通信设备:用于基站电源、网络路由器中的功率管理模块。
  3. 工业自动化:驱动电机控制器、伺服系统中的开关元件。
  4. 汽车电子:电池管理系统(BMS)、车载信息娱乐系统等。
  5. 计算机外围设备:固态硬盘(SSD)、USB接口保护电路等。

替代型号

AOI20485

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AONR20485参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥1.99878卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Ta),34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2430 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),69W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN