时间：2025/7/9 10:41:19
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IRFR3704ZCPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用PQFN10封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能、高频率的电源转换应用。此型号广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。
由于其出色的电气性能和紧凑的封装设计，IRFR3704ZCPBF 成为许多需要高效率、小尺寸解决方案的设计的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：12nC（典型值）
输入电容：1550pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRFR3704ZCPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度和低栅极电荷，非常适合高频应用。
3. 小型PQFN10封装，能够节省PCB空间。
4. 具备出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 提供良好的电磁兼容性(EMC)性能，减少干扰。
IRFR3704ZCPBF 适合用于以下领域：
1. 各类DC-DC转换器中的功率级开关。
2. 负载点(POL)转换模块。
3. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
4. 小型电机驱动和控制电路。
5. 电池管理系统的充放电控制。
6. 高效能LED驱动器。
7. 通信设备中的电源管理单元。
IRF3704S, IRFR3704SPBF
