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IRFR3704ZCPBF 发布时间 时间:2025/7/9 10:41:19 查看 阅读:13

IRFR3704ZCPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用PQFN10封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能、高频率的电源转换应用。此型号广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。
  由于其出色的电气性能和紧凑的封装设计,IRFR3704ZCPBF 成为许多需要高效率、小尺寸解决方案的设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  输入电容:1550pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

IRFR3704ZCPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高开关速度和低栅极电荷,非常适合高频应用。
  3. 小型PQFN10封装,能够节省PCB空间。
  4. 具备出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 提供良好的电磁兼容性(EMC)性能,减少干扰。

应用

IRFR3704ZCPBF 适合用于以下领域:
  1. 各类DC-DC转换器中的功率级开关。
  2. 负载点(POL)转换模块。
  3. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
  4. 小型电机驱动和控制电路。
  5. 电池管理系统的充放电控制。
  6. 高效能LED驱动器。
  7. 通信设备中的电源管理单元。

替代型号

IRF3704S, IRFR3704SPBF

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IRFR3704ZCPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 10V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件