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TESDE12V 发布时间 时间:2025/7/12 12:15:22 查看 阅读:11

TESDE12V 是一款基于双极性晶体管技术设计的高压静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电、浪涌电压和瞬态电压脉冲的影响而设计。它具有低电容特性,能够最大限度地减少对信号完整性的干扰,适用于高速数据线和射频线路的保护。

参数

工作电压:12V
  峰值脉冲电流:30A
  箝位电压:16.8V
  结电容:5pF
  响应时间:1ns
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

TESDE12V 提供了高效的 ESD 保护功能,其主要特性如下:
  1. 高度可靠的 ESD 防护能力,可承受高达 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
  2. 极低的动态电阻 (<1 欧姆),确保在瞬态事件中将被保护电路上的电压箝位到安全水平。
  3. 超快的响应时间 (1ns),能够在瞬态事件发生时迅速动作,从而有效保护后级电路。
  4. 小巧的封装尺寸,适合用于空间受限的设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。

应用

TESDE12V 广泛应用于需要高可靠性和高性能 ESD 保护的领域,典型应用场景包括:
  1. USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口的数据线保护。
  2. 移动通信设备中的射频天线端口保护。
  3. 工业控制设备中的信号输入/输出端口防护。
  4. 汽车电子系统中的 CAN 总线和其他关键通信线路的保护。
  5. 医疗设备中的敏感电路保护,以确保患者安全和设备可靠性。

替代型号

PESD12V, SM12A, TPD1E12B

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TESDE12V参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器