LQP15MN15NG02D 是一款由罗姆(ROHM)半导体生产的低电阻、小尺寸的功率MOSFET芯片,主要应用于移动设备和消费类电子产品中。该产品属于LQP系列,采用超小型封装(DFN1610-8),具有极低的导通电阻(Rds(on))以及高效率的特点,非常适合空间受限的应用场景。
该器件通过优化的结构设计和先进的制造工艺,实现了低功耗与高可靠性的平衡,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
类型:N沟道 MOSFET
封装:DFN1610-8
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
最大栅极源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):30A(典型值)
击穿电压(BVDSS):30V
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
结温(Tj):-55℃ 至 +150℃
LQP15MN15NG02D 的核心特点是其超低的导通电阻,这使得它在开关应用中表现出色,同时具备以下优势:
1. 极低的导通电阻降低了传导损耗,提高了整体系统效率。
2. 超小型封装 DFN1610-8(1.6mm x 1.0mm x 0.55mm)使其非常适合紧凑型设计。
3. 高额定电流(高达30A)支持大功率负载应用。
4. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场。
5. 提供稳定的电气性能和可靠性,适用于各种复杂的工作环境。
6. 优异的热稳定性确保在高温条件下仍能保持正常运行。
LQP15MN15NG02D 广泛应用于便携式电子设备和其他需要高效率和小体积的领域,具体包括:
1. 智能手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 可穿戴设备如智能手表、健康追踪器等的电池管理。
3. USB Type-C 和 PD(Power Delivery)适配器中的同步整流电路。
4. 小型电机驱动控制,例如无人机、玩具和家用电器。
5. DC/DC 转换器中的开关元件。
6. 其他需要高性能、低功耗的电路设计。
LQP15TN15PG02D, LQP15MN15TG02D