时间：2025/9/2 12:09:31
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HY5PS1G1631C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器（PSRAM）。PSRAM是一种结合了DRAM和SRAM接口特性的存储器，它在单个芯片上集成了DRAM存储单元和SRAM接口逻辑，使得其在容量、功耗和成本方面具有优势，适用于需要中高容量存储但受限于空间和功耗的应用场景。HY5PS1G1631C 的存储容量为1Gb（128MB x 8位），采用16位并行接口，适用于需要高速数据访问的便携式设备和嵌入式系统。
容量：1Gb（128MB x 8位）
电压：2.3V ~ 3.6V
接口类型：并行接口（x16）
访问时间：55ns（最大）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：54引脚 TSOP
封装高度：1.2mm（典型）
功耗：低功耗设计，支持自动省电模式
HY5PS1G1631C 是一款具有高性能和低功耗特性的PSRAM芯片。其核心结构基于DRAM单元，但通过集成SRAM控制器，使得用户可以直接使用SRAM的接口协议进行访问，无需复杂的DRAM刷新管理。这种设计在降低成本的同时，简化了系统设计复杂度。
该芯片支持异步和同步两种操作模式，能够灵活适应不同的主控器接口需求。同步模式下可支持高速突发访问，显著提升数据吞吐能力。在异步模式下，芯片可以根据地址和控制信号的变化自动进行读写操作，适用于传统MCU和嵌入式系统。
此外，HY5PS1G1631C 具备低功耗特性，支持自动休眠和待机模式，在设备不进行数据访问时可自动进入低功耗状态，从而延长电池续航时间。这一特性使其非常适合应用于移动设备、手持终端、智能穿戴设备以及物联网（IoT）产品。
在封装方面，该芯片采用54引脚的TSOP封装形式，具有较小的封装尺寸和较低的高度，便于在空间受限的设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级工作环境，确保在恶劣条件下也能稳定运行。
HY5PS1G1631C 主要应用于需要中高容量临时存储、对功耗敏感且空间受限的电子设备中。例如，它常用于智能手表、平板电脑、无线耳机、便携式游戏机、GPS导航设备、工业控制设备以及物联网（IoT）设备中作为高速缓存或扩展内存使用。此外，由于其接口简单、易于集成，也被广泛用于需要图形缓存的嵌入式显示系统，如工业人机界面（HMI）和医疗设备显示屏等。该芯片的低功耗与高集成度特性，也使其成为需要长时间运行且依赖电池供电设备的理想选择。
CY14B101N-ZS45B, HY5PS128121C, IS66WV102416FFALL
