HY5PS1G1631C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器(PSRAM)。PSRAM是一种结合了DRAM和SRAM接口特性的存储器,它在单个芯片上集成了DRAM存储单元和SRAM接口逻辑,使得其在容量、功耗和成本方面具有优势,适用于需要中高容量存储但受限于空间和功耗的应用场景。HY5PS1G1631C 的存储容量为1Gb(128MB x 8位),采用16位并行接口,适用于需要高速数据访问的便携式设备和嵌入式系统。
容量:1Gb(128MB x 8位)
电压:2.3V ~ 3.6V
接口类型:并行接口(x16)
访问时间:55ns(最大)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
封装尺寸:54引脚 TSOP
封装高度:1.2mm(典型)
功耗:低功耗设计,支持自动省电模式
HY5PS1G1631C 是一款具有高性能和低功耗特性的PSRAM芯片。其核心结构基于DRAM单元,但通过集成SRAM控制器,使得用户可以直接使用SRAM的接口协议进行访问,无需复杂的DRAM刷新管理。这种设计在降低成本的同时,简化了系统设计复杂度。
该芯片支持异步和同步两种操作模式,能够灵活适应不同的主控器接口需求。同步模式下可支持高速突发访问,显著提升数据吞吐能力。在异步模式下,芯片可以根据地址和控制信号的变化自动进行读写操作,适用于传统MCU和嵌入式系统。
此外,HY5PS1G1631C 具备低功耗特性,支持自动休眠和待机模式,在设备不进行数据访问时可自动进入低功耗状态,从而延长电池续航时间。这一特性使其非常适合应用于移动设备、手持终端、智能穿戴设备以及物联网(IoT)产品。
在封装方面,该芯片采用54引脚的TSOP封装形式,具有较小的封装尺寸和较低的高度,便于在空间受限的设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应工业级工作环境,确保在恶劣条件下也能稳定运行。
HY5PS1G1631C 主要应用于需要中高容量临时存储、对功耗敏感且空间受限的电子设备中。例如,它常用于智能手表、平板电脑、无线耳机、便携式游戏机、GPS导航设备、工业控制设备以及物联网(IoT)设备中作为高速缓存或扩展内存使用。此外,由于其接口简单、易于集成,也被广泛用于需要图形缓存的嵌入式显示系统,如工业人机界面(HMI)和医疗设备显示屏等。该芯片的低功耗与高集成度特性,也使其成为需要长时间运行且依赖电池供电设备的理想选择。
CY14B101N-ZS45B, HY5PS128121C, IS66WV102416FFALL