型号：CY7B991-7JI
　　制造商：Cypress Semiconductor (Infineon)
　　类型：异步SRAM
　　容量：16K x 8位（128Kb）
　　组织结构：16,384字 × 8位
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：44-pin PLCC
　　接口类型：并行
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大读取电流：40mA
　　待机电流：≤ 5μA
　　写保护功能：支持硬件写使能控制
　　地址建立时间：≥ 70ns
　　数据保持电压：≥ 2V
　　封装尺寸：11.43mm × 11.43mm
　　引脚间距：1.27mm

CY7B991-7JI具备多项关键特性，使其在众多SRAM产品中脱颖而出。首先，其70ns的快速访问时间确保了在高频系统总线环境下的高效数据吞吐能力，适合用于需要实时响应的控制系统或数据缓冲场景。该器件采用全静态CMOS设计，意味着只要供电持续存在，数据即可永久保持，无需像DRAM那样周期性刷新，从而降低了系统复杂度和功耗开销。
　　其次，CY7B991-7JI支持低待机功耗模式，在片选信号（CE）有效但未进行读写操作时，自动进入低功耗状态，典型待机电流低于5μA，显著提升了系统的能源效率，特别适用于电池供电或绿色节能设备。
　　再者，该芯片具备TTL电平兼容性，可以直接与多种主流微处理器（如8051、68HC系列、ARM7等）直接连接，无需额外的电平转换电路，简化了硬件设计流程，缩短了开发周期。
　　此外，CY7B991-7JI采用了高可靠性的PLCC封装，具有良好的散热性能和抗振动能力，适用于工业自动化、轨道交通、医疗设备等严苛工作环境。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）进一步增强了环境适应性。
　　写操作方面，该器件通过WE#（Write Enable）和CE#（Chip Enable）信号联合控制，支持精确的写使能时序管理，防止误写入导致的数据损坏。同时，OE#（Output Enable）信号允许输出三态控制，方便多设备共享数据总线。
　　最后，CY7B991-7JI符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。其长期供货保障也使其成为工业和通信领域客户信赖的选择。

CY7B991-7JI广泛应用于多个对数据存取速度和系统稳定性有较高要求的领域。在工业控制方面，常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器中的高速数据缓存或程序暂存单元，以提升实时处理能力。
　　在通信设备中，该芯片可用于路由器、交换机、基站模块等系统中作为协议处理单元的临时存储介质，支持突发数据包的快速读写，确保信息传输的流畅性。
　　在网络基础设施中，CY7B991-7JI常集成于网关、防火墙和嵌入式服务器中，用于存储配置参数、会话表项或中间计算结果，发挥其低延迟优势。
　　此外，在测试与测量仪器（如示波器、频谱分析仪）中，该SRAM可用于高速采样数据的临时存储，配合ADC和DSP实现高效信号处理链路。
　　医疗电子设备如监护仪、超声成像系统也会采用此类SRAM来存储实时生理信号或图像帧缓冲，保证诊断数据的完整性和及时性。
　　航空航天与国防领域中，由于其工业级温度特性和高可靠性，CY7B991-7JI也被用于飞行控制系统、雷达信号预处理单元等关键子系统中。
　　教育科研平台和FPGA开发板有时也将其作为外部扩展存储器，用于验证总线时序、构建小型嵌入式系统原型或教学实验。

CY7C199-7JCT
　　CY7C199-7JI
　　IS61C1024-70NL
　　AS6C1008-70BIN1