H9CCNNN8KTMLBR-NTM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该型号主要用于高性能移动设备和嵌入式系统,提供高带宽和低功耗特性,适用于智能手机、平板电脑、高性能计算模块等应用。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有高集成度和良好的热性能。
类型:LPDDR4 SDRAM
容量:8GB(具体配置为x32,1G x 32)
工作电压:1.1V / 1.8V
数据速率:3200Mbps(具体速率可能因配置不同而略有差异)
封装类型:BGA
引脚数:200-ball
时钟频率:1600MHz
数据宽度:32位
工作温度范围:-40°C至+85°C
H9CCNNN8KTMLBR-NTM 具有以下主要特性:
? 低功耗设计:该芯片采用LPDDR4标准,支持低电压运行(1.1V核心电压和1.8V I/O电压),有效降低功耗,延长移动设备的电池寿命。
? 高带宽性能:数据速率达到3200Mbps,支持快速的数据传输和处理,适用于高性能计算和图形处理应用。
? 高集成度:采用先进的DRAM制造工艺,提供8GB的大容量存储空间,满足现代设备对内存容量的高要求。
? 小型化封装:使用200-ball BGA封装技术,体积小巧,适合空间受限的便携式设备。
? 多种节能模式:支持多种低功耗模式(如深度掉电模式、自刷新模式等),进一步优化系统能效。
? 温度适应性强:工作温度范围广泛(-40°C至+85°C),适合各种严苛环境下的稳定运行。
? 高可靠性:采用先进的封装和制造技术,确保在高负载和长期使用下的稳定性和耐用性。
H9CCNNN8KTMLBR-NTM 主要应用于以下领域:
? 智能手机和平板电脑:作为主内存,提供高速数据访问和多任务处理能力。
? 高性能嵌入式系统:用于需要大内存和快速数据处理的工业控制、车载电子和智能终端设备。
? 移动计算设备:如笔记本电脑、二合一设备等,提供低功耗、高性能的内存解决方案。
? 图形处理和显示设备:用于需要大量内存带宽的图像和视频处理系统,如高性能GPU模块。
? 通信设备:如路由器、基站模块等,用于高速数据缓存和转发。
? 测试与测量设备:用于高精度数据采集和实时分析。
H9CCNNN8KTMLBR-NTM 的可能替代型号包括:H9CCNNN8KMUMBR-NTM、H9CCNNN8KTMBCR-NTU、H9CCNNN8KTMUBR-NTU 等,这些型号在容量、封装和性能方面相似,可根据具体需求进行选型。