时间：2025/9/15 1:01:25
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BUK6D43-40PX 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及马达控制等应用。这款器件采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和优良的热性能，适用于需要高可靠性和高功率密度的设计场景。其封装形式为PowerSO-10，具备良好的散热能力和紧凑的尺寸，适合现代电子设备对空间和性能的双重需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：PowerSO-10
BUK6D43-40PX 具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该MOSFET的高电流承载能力和优异的热稳定性使其在高温环境下依然能够保持稳定的工作状态。采用Trench结构的工艺技术，不仅提高了器件的导通性能，还增强了在高频开关应用中的适应性。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从4.5V到10V的多种驱动方式，使其能够与常见的驱动IC兼容。同时，该MOSFET具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在过载和短路情况下的可靠性。
其封装设计优化了热阻，确保在高功率密度应用中能够有效散热，从而延长器件的使用寿命。此外，BUK6D43-40PX 符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适用于各种对环保要求较高的电子产品。
BUK6D43-40PX 主要应用于开关电源（SMPS）、同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制和功率因数校正（PFC）电路中。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件也常用于服务器电源、通信设备、工业控制系统以及汽车电子系统中的功率管理模块。其优异的性能使其成为高效率和高可靠性要求应用的理想选择。
IPB045N04NG | SiSS52DN | BUK6D37-40PY | BUK7K85-40E | BUK9K14-40CE
