时间：2025/7/22 11:03:29
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IRFP4232PBF 是由 Infineon Technologies 生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用。这款器件采用了先进的沟槽技术，提供了卓越的性能和可靠性，适用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等领域。
类型：功率MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：30V
漏极-源极导通电阻(Rds(on))：4.2mΩ（最大值）
连续漏极电流(Id)：140A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
功率耗散(Pd)：250W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IRFP4232PBF 具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高效率。其先进的沟槽技术确保了器件在高频率下的稳定性能。此外，该MOSFET具备高电流能力和优异的热稳定性，能够在严苛的环境条件下工作。
该器件的封装设计便于散热，确保在高功率应用中的可靠性。IRFP4232PBF 还具有低栅极电荷，使其在开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，其宽广的工作温度范围使得该器件适用于各种工业和汽车应用。
IRFP4232PBF 广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制器、电池充电器以及汽车电子系统中。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能功率转换和控制的理想选择。
IRFP4227PBF, IRFP4233PBF
