时间：2022/11/15 9:56:44
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：POWER MOS 8
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：130 毫欧 @ 28A, 10V
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：POWER MOS 8
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：130 毫欧 @ 28A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：56A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：280nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：11300pF @ 25V
功率 - 最大：1040W
安装类型：通孔
封装/外壳：T-MAX
包装：管件
供应商设备封装：TO-247 [B]
其它名称：APT56M60B2MPAPT56M60B2MP-ND
| 厂商 |
|---|
| Microsemi |
