时间：2025/8/10 15:40:16
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BC68F2123 是一款由 Broadcom（安华高）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高频开关应用中表现出色。BC68F2123 采用 SOT-23 封装，适用于空间受限的电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：4A（连续）
导通电阻 Rds(on)：15mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷 Qg：5.3nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
BC68F2123 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了能效。其高电流承载能力使其适用于负载开关和电源转换应用。该器件的栅极电荷较低，有助于在高频开关应用中减少开关损耗。此外，BC68F2123 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。SOT-23 小型封装设计使其适用于便携式电子设备和空间受限的 PCB 设计。
在实际应用中，BC68F2123 可用于同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、电机驱动电路以及电池管理系统。其快速开关特性使其适用于高效率的开关电源（SMPS）设计。此外，该 MOSFET 还具备良好的短路和过载保护能力，有助于提高整体系统的安全性。
BC68F2123 常用于各类电源管理系统，包括便携式电子设备的电池供电系统、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、负载开关以及电机控制模块。在消费类电子产品中，该器件可用于电源管理单元（PMU）中的开关元件，以提高能效并延长电池续航时间。此外，BC68F2123 也广泛应用于工业控制系统、智能电表、无人机电源管理模块以及低功耗物联网（IoT）设备。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002K
