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IRF9520NPBF 发布时间 时间:2025/7/1 21:15:12 查看 阅读:7

IRF9520NPBF 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件主要用于开关和、负载开关、电机驱动以及各种功率控制电路。
  IRF9520NPBF 的封装形式为 TO-220,便于散热设计,并且其引脚布局标准,适合大多数工业和消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:9.2A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:14nC
  总电容(输入电容):230pF
  功耗:160W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRF9520NPBF 具有以下显著特点:
  1. 高击穿电压:能够承受高达 100V 的漏源电压,适用于高压环境下的开关应用。
  2. 低导通电阻:典型值为 0.18Ω,在大电流条件下可降低功耗并提升效率。
  3. 快速开关性能:得益于较小的栅极电荷(14nC),使得开关时间更快,减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围:从 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围确保了其在极端条件下的可靠性。
  5. 封装优势:TO-220 封装提供良好的热管理和机械稳定性,易于集成到电路板中。
  6. 高可靠性:通过严格的质量测试,适用于要求苛刻的应用场景。

应用

IRF9520NPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   包括离线式转换器、DC-DC 转换器和电池充电器等。
  2. 电机驱动:
   用于小型直流电机和步进电机的控制与驱动。
  3. 照明系统:
   包括 LED 驱动电路和荧光灯镇流器。
  4. 工业自动化:
   在工业控制系统中作为功率开关或信号放大器。
  5. 消费电子产品:
   如笔记本电脑适配器、家用电器中的功率管理模块。
  6. 通信设备:
   提供高效的功率转换解决方案,适用于基站和其他通信基础设施。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, STP16NF06

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IRF9520NPBF参数

  • 现有数量1,418现货
  • 价格1 : ¥9.54000管件
  • 系列HEXFET?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)480 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)27 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)350 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3