LA2284AG-SM2-R 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,从而有效降低了功耗并提升了系统效率。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并支持大电流操作,适合工业级和消费级电子设备。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):3920pF
开关速度:快速
封装形式:TO-220
LA2284AG-SM2-R 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗,提高整体效率。
2. 快速的开关性能,适用于高频应用环境。
3. 高电流承载能力,能够满足多种功率需求。
4. 强大的热性能表现,能够在较高温度下稳定运行。
5. 提供出色的 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
这些特性使得 LA2284AG-SM2-R 成为许多高要求功率管理应用的理想选择。
LA2284AG-SM2-R 广泛用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器,例如无刷直流电机控制器。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种消费类电子产品中的高效功率管理电路。
凭借其卓越的性能和可靠性,LA2284AG-SM2-R 在众多行业中得到了广泛应用。
IRFZ44N, FDP5800