存储容量：256Gbit（32GB）
　　接口标准：ONFi 3.0
　　工作电压：1.8V/3.3V
　　数据传输速率：400MT/s
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：48-Pin TSOP
　　工艺制程：1ynm技术
　　支持ECC校验：是
　　缓存大小：8KB
　　支持命令队列：是
　　支持坏块管理：是

H9LA25G25HAMBR66M 是一款高性能、大容量的NAND闪存芯片，采用了先进的1ynm制造工艺，具有较高的集成度和较低的功耗。其ONFi 3.0接口标准支持高达400MT/s的数据传输速率，确保了快速的数据读写性能，适合对存储速度有较高要求的应用。芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据存储过程中检测和纠正错误，提高了数据的可靠性和存储稳定性。此外，该芯片内置缓存机制，支持命令队列处理，能够优化数据访问顺序，提升整体操作效率。其TSOP封装形式适合在紧凑型电子设备中使用，并且具备良好的兼容性。
　　这款NAND芯片还支持坏块管理功能，可以在出厂时和使用过程中识别并跳过坏块，延长了芯片的使用寿命并提高了系统的稳定性。H9LA25G25HAMBR66M 在设计上兼顾了高性能与低功耗需求，适用于多种嵌入式系统和存储设备，如智能手机、平板电脑、固态硬盘等。它还支持多种先进的存储管理技术，如磨损均衡（Wear Leveling）和垃圾回收（Garbage Collection），以延长存储寿命并优化性能。

H9LA25G25HAMBR66M 主要应用于需要大容量存储和高速数据处理的设备中。例如，它广泛用于固态硬盘（SSD）中，作为高速缓存或主存储介质，提供快速的数据读写能力。在消费电子领域，该芯片常用于智能手机、平板电脑、U盘和SD卡等设备，满足用户对大容量存储的需求。在工业控制和自动化系统中，该NAND闪存芯片可用于数据记录、固件存储和系统启动等关键任务。此外，它也可用于车载导航系统、数字监控设备、网络设备和嵌入式系统中，提供稳定可靠的数据存储解决方案。

H9HA25S25DMACBR6
　　H9HA25S25AMACBR6
　　H9LA25S25HAMBR6