时间：2025/7/22 16:52:03
阅读：12
GEMTWIN200G 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款功率MOSFET双晶体管器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电机控制等。GEMTWIN系列采用先进的沟槽栅极技术和双芯片封装设计，提供更低的导通电阻和更高的电流承载能力，同时保持较小的封装尺寸。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：200V
连续漏极电流(ID)：15A
导通电阻(RDS(on))：约0.15Ω（典型值）
栅极电荷(Qg)：25nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 或其他小型封装
功率耗散(PD)：50W（典型值，取决于散热条件）
GEMTWIN200G 的核心特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高能效；双芯片结构设计使其能够在较小的封装中实现更高的电流能力。该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。此外，它具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗，提高系统效率。GEMTWIN200G 还具有出色的雪崩能量承受能力，增强了器件在过压或瞬态条件下的鲁棒性。其栅极驱动要求较低，适合多种驱动电路配置。
GEMTWIN200G 常用于各种功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路、电源开关、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和小型化封装，特别适用于对空间和能效有严格要求的设计，如服务器电源、通信设备电源模块、便携式电子设备和汽车电子系统。
STB15NM20T、STB15NM20、IPB15N20C3、FDPF15N20
