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IRF830A 发布时间 时间:2025/6/12 16:01:48 查看 阅读:8

IRF830A 是一款高性能的 N 沤道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。它被广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器等需要高效能和低功耗的应用场景中。IRF830A 采用 TO-247 封装,具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力,能够显著提升电路效率并减少热损耗。
  该器件在高频开关应用中表现优异,其设计旨在提供卓越的性能与可靠性。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:7A
  峰值脉冲漏极电流:18A
  栅源开启电压:4V
  栅源关断电压:-4V
  导通电阻(典型值):2.9Ω
  总功耗:165W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRF830A 的主要特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 500V,适用于高压环境下的各种应用场景。
  2. 较低的导通电阻,典型值为 2.9Ω,在高负载条件下可有效降低功率损耗。
  3. 快速开关速度,能够满足高频开关应用的需求。
  4. 稳定的工作温度范围,能够在极端环境下正常运行,最高结温支持到 175°C。
  5. 提供出色的耐用性和可靠性,适合工业级及汽车级应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

IRF830A 主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率转换元件。
  2. 各类电机驱动和控制电路,例如步进电机、直流无刷电机等。
  3. 逆变器电路,用于将直流电转化为交流电。
  4. UPS 不间断电源系统中的关键组件。
  5. 高频振荡器和电子镇流器等电力电子设备。
  6. 工业自动化控制系统以及各类大功率电器产品的核心驱动部件。

替代型号

IRF830, IRF840, BUZ11

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IRF830A参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
  • 功率 - 最大74W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF830A