STS5DNF20V 时间：2025/7/23 16:37:17 阅读：4

STS5DNF20V 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于需要高电流、低导通电阻和快速开关特性的场景。STS5DNF20V 采用先进的沟槽式栅极技术，提供出色的热性能和可靠性，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统和电源管理模块等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 8.8mΩ（在 VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装方式：表面贴装
　　功率耗散（PD）：100W

特性

STS5DNF20V 具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率密度和高效率应用中表现出色。其导通电阻非常低（RDS(on) 最大为 8.8mΩ），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的沟槽式栅极技术，提供快速的开关性能，降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。
　　STS5DNF20V 的最大漏极电流高达 50A，能够在高负载条件下稳定工作，适用于电机驱动和大电流电源管理场景。
　　其 PowerFLAT 5x6 封装具有优异的散热性能，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。
　　此外，该 MOSFET 支持宽范围的工作温度（-55°C 至 +175°C），适应恶劣的工作环境，确保长期稳定运行。
　　器件的栅极驱动电压范围为 ±12V，兼容常见的驱动电路，易于集成到各种电源管理系统中。

应用

STS5DNF20V 主要用于需要高电流、低导通电阻和快速开关特性的电源管理应用。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、电源分配系统和嵌入式电源模块。
　　在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器使用，提高转换效率并减小系统尺寸。
　　在电池管理系统中，STS5DNF20V 可用于实现高效的充放电控制和电池保护。
　　在电机控制应用中，该器件可作为 H 桥结构中的功率开关，提供高效率和稳定的电机驱动能力。
　　此外，STS5DNF20V 也适用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制器以及高功率 LED 驱动电路。