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IRF7307TRPBF 发布时间 时间:2025/5/26 11:46:18 查看 阅读:16

IRF7307TRPBF 是一款由 Vishay 生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TSSOP-8 封装形式。该器件设计用于需要高效开关和低功耗的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等。其内置的两个独立 MOSFET 具有较低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低功率损耗并提高系统效率。
  由于采用了先进的制程工艺,IRF7307TRPBF 在小型化封装中实现了优异的电气性能,并且具备较高的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:4.9A(每个MOSFET)
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总栅极电荷:16nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TSSOP-8

特性

IRF7307TRPBF 的主要特点是其低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中能够显著减少传导损耗,从而提升效率。
  此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于实现快速开关,减少开关损耗。
  两个独立的 MOSFET 集成在同一封装内,减少了 PCB 占用面积,同时简化了设计流程。
  该芯片适用于高频切换场景,能够提供出色的热性能和电气性能,确保长时间稳定运行。
  另外,其符合 RoHS 标准,适合环保要求严格的现代电子产品设计。

应用

IRF7307TRPBF 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流电路
  2. 降压和升压型 DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统的负载开关
  5. 便携式设备中的高效功率转换
  6. 工业自动化中的功率调节模块
  7. 汽车电子中的电源管理系统
  由于其高性能和紧凑的封装形式,该器件特别适合对空间和效率有严格要求的设计。

替代型号

IRF7307LPBF, IRF7307DPBF

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IRF7307TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.2A,4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7307PBFTR