IRF7307TRPBF 是一款由 Vishay 生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TSSOP-8 封装形式。该器件设计用于需要高效开关和低功耗的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等。其内置的两个独立 MOSFET 具有较低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低功率损耗并提高系统效率。
由于采用了先进的制程工艺,IRF7307TRPBF 在小型化封装中实现了优异的电气性能,并且具备较高的可靠性和稳定性。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:4.9A(每个MOSFET)
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总栅极电荷:16nC
开关速度:快速开关
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TSSOP-8
IRF7307TRPBF 的主要特点是其低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中能够显著减少传导损耗,从而提升效率。
此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于实现快速开关,减少开关损耗。
两个独立的 MOSFET 集成在同一封装内,减少了 PCB 占用面积,同时简化了设计流程。
该芯片适用于高频切换场景,能够提供出色的热性能和电气性能,确保长时间稳定运行。
另外,其符合 RoHS 标准,适合环保要求严格的现代电子产品设计。
IRF7307TRPBF 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流电路
2. 降压和升压型 DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统的负载开关
5. 便携式设备中的高效功率转换
6. 工业自动化中的功率调节模块
7. 汽车电子中的电源管理系统
由于其高性能和紧凑的封装形式,该器件特别适合对空间和效率有严格要求的设计。
IRF7307LPBF, IRF7307DPBF