时间：2025/9/3 22:00:26
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IR155DM16C 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的功率 MOSFET 模块，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该模块集成了多个MOSFET晶体管，采用先进的封装技术，具备高耐压和大电流承载能力。IR155DM16C通常用于电机驱动、工业自动化、电源转换以及新能源设备等应用场景。
类型：MOSFET模块
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：约20mΩ
封装类型：双列直插式封装（DIP）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功耗：约300W
栅极电压（Vgs）：±20V
短路耐受能力：有
IR155DM16C 具备多项优异特性。首先，其高集成度设计将多个MOSFET器件集成在一个模块中，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性和紧凑性。其次，该模块采用了先进的CoolMOS?技术，显著降低了导通和开关损耗，从而提升了整体能效。此外，其导通电阻非常低，使得在大电流工作时，模块的功率损耗保持在较低水平，有助于提高系统效率。
该模块具备良好的热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，确保在高负载条件下稳定运行。同时，IR155DM16C具有较强的短路和过流保护能力，能够在异常情况下保护器件免受损坏。由于其采用标准封装设计，因此可以方便地集成到现有的电路设计中，并支持快速更换和维护。
IR155DM16C 常用于高功率密度和高效率要求的应用场景。例如，在工业电机驱动系统中，该模块可用于变频器或伺服驱动器，以实现高效的电机控制。在新能源领域，该模块可应用于太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备等。此外，它还广泛用于电源供应器、不间断电源（UPS）以及电焊设备等需要高效功率转换的场合。
IPW60R017C7, STY120N65M5AG, SiC MOSFET模块（如C3M0065065D）
