IR155DM16C 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)制造的功率 MOSFET 模块,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该模块集成了多个MOSFET晶体管,采用先进的封装技术,具备高耐压和大电流承载能力。IR155DM16C通常用于电机驱动、工业自动化、电源转换以及新能源设备等应用场景。
类型:MOSFET模块
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):160A
导通电阻(Rds(on)):约20mΩ
封装类型:双列直插式封装(DIP)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
功耗:约300W
栅极电压(Vgs):±20V
短路耐受能力:有
IR155DM16C 具备多项优异特性。首先,其高集成度设计将多个MOSFET器件集成在一个模块中,减少了外部元件数量,提高了系统的可靠性和紧凑性。其次,该模块采用了先进的CoolMOS?技术,显著降低了导通和开关损耗,从而提升了整体能效。此外,其导通电阻非常低,使得在大电流工作时,模块的功率损耗保持在较低水平,有助于提高系统效率。
该模块具备良好的热管理性能,能够有效地将热量从芯片传导到散热器,确保在高负载条件下稳定运行。同时,IR155DM16C具有较强的短路和过流保护能力,能够在异常情况下保护器件免受损坏。由于其采用标准封装设计,因此可以方便地集成到现有的电路设计中,并支持快速更换和维护。
IR155DM16C 常用于高功率密度和高效率要求的应用场景。例如,在工业电机驱动系统中,该模块可用于变频器或伺服驱动器,以实现高效的电机控制。在新能源领域,该模块可应用于太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备等。此外,它还广泛用于电源供应器、不间断电源(UPS)以及电焊设备等需要高效功率转换的场合。
IPW60R017C7, STY120N65M5AG, SiC MOSFET模块(如C3M0065065D)