时间：2025/6/27 12:37:56
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HH18N201G500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用场景。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高效能转换的特点，广泛应用于电源管理、通信系统以及工业控制领域。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，便于大规模自动化生产。
这款 GaN 器件通过先进的材料工艺优化性能局限，尤其在高频开关应用中表现优异，能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：+6V/-10V
导通电阻：120mΩ
连续漏极电流：20A
开关频率：高达10MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HH18N201G500CT 的主要特点是利用氮化镓材料实现卓越的电气性能。其高击穿电压使其适合高压环境，而低导通电阻则减少了传导损耗。此外，该器件具备极快的开关速度，能够在高频条件下维持高效率，这对于现代电力电子设备至关重要。
它还具有良好的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠的性能。此外，该 GaN HEMT 内部集成保护机制，如过流保护和静电放电防护（ESD），进一步增强了器件的鲁棒性。
HH18N201G500CT 主要用于需要高效功率转换和快速开关的应用场景，例如数据中心电源、通信基站电源、太阳能逆变器、电动车充电器以及消费类适配器等。其高频特性使得它可以搭配小型化的磁性元件，从而减小整体系统尺寸和重量。
同时，该器件也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及其他对能效和功率密度要求较高的场合。
HH18N201G300CT
HH18N201G650CT
