时间：2025/5/23 9:52:59
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IRF630FI 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效率和低损耗的开关电路中。该器件采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和电气性能，适用于工业、汽车及消费类电子领域。
其设计目的是在高频条件下提供高效的功率转换能力，并且能够承受较高的电压和电流负载。由于其优异的 Rds(on) 特性和栅极电荷特性，IRF630FI 成为许多功率管理应用中的理想选择。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.2A
脉冲漏极电流：53A
栅源开启电压：4V
导通电阻：0.18Ω
总栅极电荷：36nC
输入电容：1520pF
输出电容：380pF
反向传输电容：18pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRF630FI 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（200V）使其适用于高压环境。
2. 较低的导通电阻（Rds(on) 为 0.18Ω），有助于降低传导损耗。
3. 总栅极电荷较小（36nC），从而实现更快的开关速度并减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣的工作条件。
5. 高可靠性与稳定性，特别适合于长期运行的系统。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
IRF630FI 可用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器控制中的功率级元件。
3. 各种负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的高压开关应用。
6. 通信电源和 UPS 系统中的关键功率器件。
IRF630N, IRF630G
