VUO28-16N07 时间：2025/8/5 23:23:13 阅读：24

VUO28-16N07 是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的功率MOSFET模块，广泛应用于工业、电源管理和电机控制等领域。该器件采用了先进的MOSFET技术，具有高效率、低导通电阻和良好的热性能。该模块的封装设计使其适用于高功率密度应用，同时提供良好的散热性能。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压(Vds)：160V
　　漏极电流(Id)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为 0.072Ω
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　栅极电荷(Qg)：典型值为 60nC
　　输入电容(Ciss)：典型值为 1600pF
　　漏源击穿电压(BR)：160V

特性

VUO28-16N07 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件的封装设计采用了TO-247封装，能够有效散热，确保在高电流条件下稳定工作。此外，VUO28-16N07 具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流应力而不损坏。其栅极驱动特性较为稳定，适合多种栅极驱动电路设计。
　　该模块的热阻（Rth）较低，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的结温，延长使用寿命。同时，VUO28-16N07 的雪崩能量能力较强，能够在电压突变或负载切换时提供额外的保护，防止器件损坏。这种高可靠性使其成为工业电机驱动、电源转换和高功率开关应用的理想选择。