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IRF5210L 发布时间 时间:2025/7/16 12:43:47 查看 阅读:5

IRF5210L是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路设计中。其优化的封装形式使其非常适合于空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:37A
  导通电阻:2.4mΩ
  栅极电荷:79nC
  总功耗:185W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF5210L的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,能够降低开关损耗。
  4. 具有优异的热稳定性和可靠性,确保在极端条件下的正常运行。
  5. 小型化的封装设计,节省PCB布局空间。
  6. 支持高频操作,适用于开关电源、电机驱动等对频率要求较高的场景。

应用

IRF5210L适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电机驱动器中的逆变器和控制器。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 太阳能逆变器和电池管理系统。
  5. 各种DC/DC转换器设计。
  6. 电动车及电动工具中的功率控制模块。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, STP55NF06L

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IRF5210L参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2700pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装TO-262
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF5210L