时间：2025/9/11 6:48:54
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CG2H40045F 是一款高性能的碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，广泛应用于高效率、高频率和高温工作环境的电力电子系统中。该器件基于先进的碳化硅技术，具备卓越的导通和开关性能，适用于电动汽车（EV）、充电桩、工业电源以及可再生能源系统等高要求的功率转换场景。
类型：N沟道MOSFET
材质：碳化硅（SiC）
漏源电压（VDS）：400V
连续漏极电流（ID）：45A
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值）
栅极电压范围：-5V至+20V
最大工作温度：175°C
封装形式：TO-247
CG2H40045F MOSFET具有多项显著的技术优势。首先，其基于碳化硅材料的特性，具备更高的热导率和更高的击穿电场强度，使其在高温和高压环境下仍能稳定工作。其次，该器件的导通电阻非常低（仅27mΩ），有效降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
此外，CG2H40045F在开关性能方面表现优异，能够支持高频开关操作，从而减小外部滤波元件的尺寸，提高功率密度。其栅极驱动电压范围较宽（-5V至+20V），兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。
CG2H40045F 主要用于高功率和高效率的电源转换系统，例如电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、逆变器、充电桩（EVSE）、工业电机驱动器以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）。此外，该器件也非常适用于需要高频操作的电源系统，如高频开关电源和无线充电系统。
Cree / Wolfspeed C3M0065065J, STMicroelectronics SCTW40N65G2V, Infineon IMW120R045M1H
