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NTTFS030N06CTAG 发布时间 时间:2025/8/2 6:08:30 查看 阅读:22

NTTFS030N06CTAG是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench沟道技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优良的热性能,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):60A
  最大漏-源电压(Vds):60V
  最大栅-源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大3.0mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值为88nC
  封装类型:PowerPAK SO-8双封装
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

NTTFS030N06CTAG的主要特性包括:
  ? 低导通电阻(Rds(on)):在Vgs=10V时,最大Rds(on)为3.0mΩ,降低了导通损耗,提高了系统效率。
  ? 高电流承载能力:连续漏极电流可达60A,适合高功率密度设计。
  ? 优化的热性能:PowerPAK SO-8双封装具有良好的热阻特性,有助于快速散热,提高器件的可靠性。
  ? 快速开关特性:较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),可实现快速开关,减少开关损耗。
  ? 高雪崩能量耐受能力:器件设计具有较强的雪崩击穿能量承受能力,适用于高应力开关环境。
  ? 符合RoHS标准:无铅环保封装,适用于现代电子制造环保要求。

应用

NTTFS030N06CTAG广泛应用于以下领域:
  ? DC-DC转换器:用于服务器、通信设备、工业电源等高效率电源模块。
  ? 同步整流器:在AC-DC电源中替代传统二极管以提高效率。
  ? 电机驱动和负载开关:适用于电动工具、工业自动化和消费类电子产品中的功率控制。
  ? 电池管理系统(BMS):用于电动汽车(EV)和储能系统中的电池充放电控制。
  ? 电源管理单元:作为高侧或低侧开关,用于多相电源系统和电源分配系统。

替代型号

SiZ600DT, NVTFS5C471NLWFTAG, FDS6680, IPB061N04NG4

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NTTFS030N06CTAG参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥9.78000剪切带(CT)1,500 : ¥4.44182卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta),19A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29.7 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 13μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)255 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),23W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-WDFN(3.3x3.3)
  • 封装/外壳8-PowerWDFN