NTTFS030N06CTAG是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench沟道技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优良的热性能,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):60A
最大漏-源电压(Vds):60V
最大栅-源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大3.0mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):典型值为88nC
封装类型:PowerPAK SO-8双封装
工作温度范围:-55°C至175°C
NTTFS030N06CTAG的主要特性包括:
? 低导通电阻(Rds(on)):在Vgs=10V时,最大Rds(on)为3.0mΩ,降低了导通损耗,提高了系统效率。
? 高电流承载能力:连续漏极电流可达60A,适合高功率密度设计。
? 优化的热性能:PowerPAK SO-8双封装具有良好的热阻特性,有助于快速散热,提高器件的可靠性。
? 快速开关特性:较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),可实现快速开关,减少开关损耗。
? 高雪崩能量耐受能力:器件设计具有较强的雪崩击穿能量承受能力,适用于高应力开关环境。
? 符合RoHS标准:无铅环保封装,适用于现代电子制造环保要求。
NTTFS030N06CTAG广泛应用于以下领域:
? DC-DC转换器:用于服务器、通信设备、工业电源等高效率电源模块。
? 同步整流器:在AC-DC电源中替代传统二极管以提高效率。
? 电机驱动和负载开关:适用于电动工具、工业自动化和消费类电子产品中的功率控制。
? 电池管理系统(BMS):用于电动汽车(EV)和储能系统中的电池充放电控制。
? 电源管理单元:作为高侧或低侧开关,用于多相电源系统和电源分配系统。
SiZ600DT, NVTFS5C471NLWFTAG, FDS6680, IPB061N04NG4