封装尺寸：1206
　　电容值：85 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：100V
　　电介质：NP0（C0G）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　Q值：≥1000（典型值）
　　频率范围：1 MHz ~ 1 GHz
　　损耗角正切（Dissipation Factor）：≤0.0005

AMCV-1206H-850-T 多层陶瓷电容具有以下显著特性：
　　首先，它采用 NP0（C0G）电介质材料，这种材料具有极高的温度稳定性，电容值在温度变化时几乎保持恒定，温度系数为 0 ppm/°C ±30 ppm/°C，非常适合对稳定性要求极高的高频电路。
　　其次，该电容具有高 Q 值（≥1000），意味着其在高频应用中具有极低的插入损耗，适合用于谐振电路、滤波器、耦合电路和射频匹配网络。
　　再者，它的损耗角正切（DF）非常低，通常低于 0.0005，这有助于减少高频信号传输过程中的能量损失，提高电路效率。
　　此外，AMCV-1206H-850-T 的额定电压为 100V，可在中高功率射频电路中使用，具备良好的耐压能力和长期稳定性。
　　其封装形式为 SMD（表面贴装），符合 RoHS 标准，适用于自动化贴片生产线，提高了生产效率和装配可靠性。
　　最后，该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +125°C，适用于航空航天、工业控制、通信设备等严苛环境下的应用。

AMCV-1206H-850-T 因其出色的高频特性和稳定性，广泛应用于以下领域：
　　在射频通信系统中，该电容常用于滤波器、耦合器、天线调谐电路以及低噪声放大器的偏置电路，确保信号的高保真传输。
　　在微波电路中，由于其高 Q 值和低损耗，它适用于 VCO（压控振荡器）、LC 谐振电路以及功率放大器输出匹配网络。
　　在测试测量设备中，该电容因其容值稳定、误差小，被广泛用于精密射频测试电路和示波器前端。
　　在航空航天和军事电子设备中，AMCV-1206H-850-T 凭借其高可靠性和宽工作温度范围，常用于雷达系统、卫星通信模块以及惯性导航系统。
　　此外，它也适用于高端音频设备和医疗电子仪器，作为高保真信号路径中的关键元件。

AVX 06035C859FAT2A, TDK CGA1L2X7R1H850J, Kemet C0805C859F5GAC